掩模版(mask)簡稱掩模，是光刻工藝不可缺少的部件。掩模上承載有設(shè)計圖形，光線透過它，把設(shè)計圖形透射在光刻膠上。掩模的性能直接決定了光刻工藝的質(zhì)量。在投影式光刻機中，掩模作為一個光學元件位于會聚透鏡(condenser lens)與投影透鏡(projection lens)之間，它并不和晶圓有直接接觸。掩模上的圖形縮小4~10倍(現(xiàn)代光刻機一般都是縮小4倍)后透射在晶圓表面。為了區(qū)別接觸式曝光中使用的掩模，投影式曝光中使用的掩模又被稱為倍縮式掩模(reticle)。

　　掩模版(mask)簡稱掩模，是光刻工藝不可缺少的部件。掩模上承載有設(shè)計圖形，光線透過它，把設(shè)計圖形透射在光刻膠上。掩模的性能直接決定了光刻工藝的質(zhì)量。在投影式光刻機中，掩模作為一個光學元件位于會聚透鏡(condenser lens)與投影透鏡(projection lens)之間，它并不和晶圓有直接接觸。掩模上的圖形縮小4~10倍(現(xiàn)代光刻機一般都是縮小4倍)后透射在晶圓表面。為了區(qū)別接觸式曝光中使用的掩模，投影式曝光中使用的掩模又被稱為倍縮式掩模(reticle)。表1對這兩種掩模的不同之處做了對比。目前大型集成電路光刻工藝中使用的都是步進-掃描式光刻機(scanner)，以及與之相配套的倍縮式掩模。在日常交流中，倍縮式掩模仍然被簡稱為掩模

　　掩模版的制作

　　掩模版本身也是一個維系加工過程。它涉及曝光、顯影、刻蝕等工藝過程。掩模的曝光的用掃描激光束完成的。經(jīng)過曝光顯影后的鍍鉻玻璃板一般經(jīng)過濕法酸腐蝕去除暴露的鉻層，從而形成掩膜圖形。這時傳統(tǒng)掩模版的制造過程

　　。倍縮式掩模的結(jié)構(gòu)

　　為了保證在不同型號光刻機之間的互用，掩模的結(jié)構(gòu)和幾何尺寸都類似的。它的主體是一塊152mm*152mm(即)的高質(zhì)量石英玻璃基板，其厚度是，如圖1(a)所示。石英玻璃對深紫外光(≤365mm)有很高的透過率，而且其熱膨脹系數(shù)只有0.5ppm/℃ (通常玻璃是9.4ppm/℃)。一個鋁合金制備的框架被安裝在玻璃基板上刻有圖形的一側(cè)，鋁合金框架高6.1mm、厚2mm，它用于蒙貼保護膜，如圖1(c)所示。掩模所有曝光的區(qū)域都必須在保護膜的覆蓋之下。外界和掩模的機械接觸都發(fā)生在鋁合金框架之外的部分。鋁合金框架側(cè)面開有通氣孔，以避免曝光、溫度變化時形成內(nèi)外壓強差

　　掩模版(mask)樣品資料展示：